来利国际w66，来利国际w66，来利国际w66，金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 118824861 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法来利国际w66，，半导体器件的制造方法可以包括：提供碳化硅本体；形成从所述碳化硅本体的第一表面延伸到所述碳化硅本体中的碳化硅沟槽；形成本体区，所述本体区从所述碳化硅沟槽底部延伸至所述碳化硅本体中；形成栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述碳化硅沟槽内部和所述第一表面；在所述碳化硅沟槽中的第一碳化硅沟槽内形成多晶硅来利国际w66，，所述多晶硅位于所述栅极氧化层远离所述碳化硅本体的一侧。